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            1. 侵权投诉

              浅析高能效储能系统的多级转换器拓扑

              电子设计 ? 2021-04-15 17:42 ? 次阅读

              什么是储能系统?

              能量存储是收集产生的能量,以供以后存储和使用。电池储能系统用于创建独立于公用事业的太阳能家庭或企业(称为住宅或商业ESS),被称为“电表背后”。相反,公用事业规模的ESS被称为“电表之前”,用于在需求量大的时期补充发电量。两种情况都利用采用不同架构,拓扑和功率半导体技术的双向功率转换器。

              住宅太阳能装置中的ESS

              住宅太阳能系统通过逆变器与公用电网相连,逆变器可在日照时间将太阳能电池板的功率转换为交流电。多余的电力可以卖给公用事业公司,但是在黑暗的时刻,最终用户仍必须依靠公用事业来提供电力。公用事业公司已经能够通过调整其定价模型来利用这些限制,从而将住宅用户转移到“使用时间”费率,从而在没有太阳能可用时收取更多的费用。将ESS添加到系统中,使用户可以通过所谓的“峰值剃须”来解决此问题并?;ぷ约好馐芨甙旱哪茉闯杀?,将太阳能电池板收集的电量存储在电池中,以随时满足其电力需求。

              电池技术的发展导致了锂离子(Li-ion)电池组的生产,其单位质量和单位体积的电荷存储量比旧技术的铅酸电池要高得多。结合有效的双向电源转换系统,它们可以用于创建3至12千瓦范围内的紧凑型壁挂式ESS装置,能够为房屋提供24小时或更长时间的供电。但是,尽管锂离子电池具有能量密度方面的优势,但它们仍具有一些缺点,特别是在安全性方面,包括过热或在高压下损坏的趋势。需要使用安全机制来限制电压和内部压力。由于老化,存储容量也会下降,从而导致在运行数年后最终出现故障。因此,

              与太阳能逆变器不同,ESS必须在两种需要双向转换的不同模式下运行:

              充电模式,当电池正在充电时

              备用模式,当电池为连接的负载供电时。

              结合太阳能电池板的住宅ESS分为DC或AC耦合系统。在直流耦合系统中,单个混合逆变器在公共直流总线上结合了双向电池转换器和DC-DC太阳能MPPT级的输出,然后为并网逆变器级供电。但是,交流耦合系统(有时称为“交流电池”)变得越来越流行,因为这种类型的ESS可以很容易地改装到原来没有配备储能装置的现有太阳能设备中,因为交流耦合ESS直接与太阳能电池相连。网格。另一个优势是能够轻松并行提供更大的电源能力和存储容量。

              住宅ESS电源转换器架构

              pIYBAGB4CWGAFQTWAACuSSeTppk674.png

              图1:住宅储能系统的基本框图

              上图概述了基于48V锂离子电池组的交流耦合系统。整个系统通常安装在壁挂式机箱中。电池组包括一个集成的电子电池管理系统(BMS),用于管理单个电池的充电状态(SOC),这些电池的额定状态通常为标称的3.2V。通过防止在过度充电或充电不足的状态下运行,电池劣化得以最小化。BMS包含专门的控制IC和基于沟槽技术的低压MOSFET开关,例如英飞凌的OptiMOSTM或StrongIRFET?系列,通常在80至100V的范围内。

              在此示例中,功率转换系统分为三个阶段,每个阶段都基于有源功率开关而不是二极管来支持双向功率转换。有几种可能的拓扑,其中许多是基本H桥的变体。下图显示了结合两个并行功率转换级以共享功率传输的拓扑:

              pIYBAGB4CW2AL-lTAAFkQ66MVZo048.png

              图2:住宅ESS的可能的转换器拓扑

              阶段1:第一阶段将电池电压(通常为48 V)转换为高频AC,以通过变压器升压。在此示例中,选择了一个谐振拓扑以在备用模式下以零电压开关工作,以通过尽可能避免开关损耗来最大程度地提高效率。在充电模式下,该级用作同步整流器。

              该级在低电压和高电流下切换,非常适合具有非常低RDS(ON)的60 V沟槽MOSFET器件,例如Infineon的OptiMOSTM系列。这样的设备可以并联连接。具有出色散热能力和极低寄生封装电感的封装(例如DirectFETTM)是理想的选择。

              阶段2:第二阶段在高电压和相对低的电流下运行,当ESS在备用模式下供电时执行同步整流功能,并在充电模式下将高压DC转换为高频AC以通过变压器降压。

              由于总线电压通常在400至500 V之间,因此此阶段将需要600-650 V的开关,这些开关能够以尽可能低的开关和传导损耗在高频下开关??泶短蓟瑁⊿iC)沟槽MOSFET具有比硅超结(SJ)器件更高的优势,这使得在几千瓦及以上的功率水平下实现更高的转换效率成为可能。较高的临界击穿场允许维持给定的电压额定值,同时减小了器件的厚度,从而降低了导通电阻。

              英飞凌CoolSiC?MOSFET 650 V产品系列提供的RDS(on)低至27mΩ。较高的热导率对应较高的电流密度,而较宽的带隙导致高温下的泄漏电流较低。从25°C到100°C的RDS(on)乘积系数对于CoolMOS?为1.67,对于CoolSiC?为1.13。这意味着,为了具有相同的导通损耗(

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              发表于 03-23 15:54 ? 107次 阅读
              适合BMS及电机驱动应用的大电流高耐受能力MOSFET 100V 2.5mΩTOLL产品

              GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

              选用本款HGN093N12S/SL产品, 可以让客户提高整机效率, 并且温度也随之下降, 效率提升之....
              发表于 03-23 15:50 ? 897次 阅读
              GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

              介绍极限参数-ID &amp; EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET为例子

              所有MOS规格书上面的ID是一个有明确边界条件规定下的理论数值。因为在应用中可能会有各种各样的散热条....
              发表于 03-23 15:38 ? 878次 阅读
              介绍极限参数-ID &amp; EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET为例子

              功率MOSFET应用研究及主电路设计

              功率MOSFET应用研究及主电路设计。
              发表于 03-22 17:23 ? 44次 阅读
              功率MOSFET应用研究及主电路设计

              PW8205 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

              PW8205采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极充电和低至2.5V的栅极电压操作。该....
              发表于 03-21 11:04 ? 34次 阅读
              PW8205 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

              UnitedSiC的FET-Jet计算器让SiC FET选择过程不再充满猜测

              为电源设计选择初始半导体开关可能是一件繁杂的工作。UnitedSiC的新FET-Jet Calcul....
              的头像 西西 发表于 03-19 09:42 ? 235次 阅读
              UnitedSiC的FET-Jet计算器让SiC FET选择过程不再充满猜测

              士兰微业绩大幅增长 预计今年营收达62亿元!

              近日,士兰微发布2020年年度报告称,公司营业总收入为428,056万元,较2019年同期增长37.....
              的头像 半导体投资联盟 发表于 03-19 09:42 ? 630次 阅读
              士兰微业绩大幅增长 预计今年营收达62亿元!

              MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理的应用报告

              MOSFET 是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词,它是电子行业高频高效开关领域的 关键 组....
              发表于 03-19 08:00 ? 117次 阅读
              MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理的应用报告

              SLM2103S半桥驱动器的数据手册免费下载

              专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容,低至....
              发表于 03-18 17:35 ? 49次 阅读
              SLM2103S半桥驱动器的数据手册免费下载

              SE80160 N通道增强模MOSFET的数据手册免费下载

              先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅电荷和低工作电压。该装置适用于负载开关或PWM
              发表于 03-18 17:35 ? 34次 阅读
              SE80160 N通道增强模MOSFET的数据手册免费下载

              IR4301和IR4311的主要特性及应用解决方案

              IR4301,IR4311集成了PWM控制器和数字音频MOSFET,构成了高性能D类音频放大器。
              的头像 电子设计 发表于 03-18 16:27 ? 378次 阅读
              IR4301和IR4311的主要特性及应用解决方案

              电源??槭堑缭绰?/a>

              我们平时用的充电器或电池等供电装置到底是不是电源呢?首先让我们来看一下电源的定义:电源就是把其他形式....
              发表于 03-18 00:33 ? 55次 阅读
              电源??槭堑缭绰? />    </a>
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              赋能未来,勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章

              在2011年,在经过了将近二十年的研发之后,科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十....
              发表于 03-17 16:13 ? 153次 阅读
              赋能未来,勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章

              N通道增强模式场效应MOSFET

              新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能性能,使其成为....
              发表于 03-16 16:24 ? 46次 阅读
              N通道增强模式场效应MOSFET

              Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率??榭芍С中乱淮⒋砥?/a>

              器件采用PowerPAK? 5 mm x 6 mm封装,内置电流和温度监测功能,满足基础设施、云计算....
              发表于 03-16 14:50 ? 1460次 阅读
              Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率??榭芍С中乱淮⒋砥? />    </a>
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              通过傅里叶函数方法分析电源??槭涑龆宋撇?/a>

              电子产品设计日益轻薄,使得电源??橐嘈胩嵘谢黄德室运跣√寤?。藉由傅里叶级数频域分析,研发人员将可掌....
              的头像 电子设计 发表于 03-15 15:54 ? 388次 阅读
              通过傅里叶函数方法分析电源??槭涑龆宋撇? />    </a>
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              STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

              部为0.8V±1%的电压基准 2.7 V至5.5 V输入电压范围 快速响应,恒定频率,电流模式控制 三个独立,可调节, SMPS对于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片组供应 S3-S5状态兼容DDR2 / 3部分 有源软端所有输出 为VDDQ可选跟踪放电 独立的电源良好信号 脉冲在轻负载跳过 可编程电流限制和软启动所有输出 锁存OVP,UVP?;?热?;? 参考和终止电压(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO为DDR2 / 3端点(VTT)与折返 远程VTT输出感测 在S3高阻VTT输出 ±15 mA低噪声DDR2 / 3缓冲基准(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,这是一个单片电压调节器???,具有内部功率MOSFET,专门设计来提供DDR2 /在超移动PC和房地产便携式系统3内存和芯片组。它集成了三个独立的,可调节的,恒定频率的降压转换器,一个±2的.apk低压降(LDO)线性调节器和±15 mA低噪声缓冲基准。每个调节器提供基本电压下(UV)和过电压(OV)的?;?,可编程软启动和电流限制,有源软端的和跳脉冲在轻负载。...
              发表于 05-21 05:05 ? 74次 阅读
              STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1单片VR用于基于所述PM6641单片VR为芯片组和DDR2芯片组和DDR2 / 3演示板/ 3供应用于超移动PC(UMPC)应用

              AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

              用于汽车应用L99SM81V可编程步进电机驱动器板的功能: 具有微步进和保持功能 BEMF监测失速检测 经由SPI可编程配置 5V内部线性电压调节器(输出上板连接器可用) 板反向电池?;び肧TD95N4F3 MOSFET,其可以具有两个被取代可选地安装二极管和一个跨接 输入工作电压范围从6 V至28 V 输出电流至1.35A 板尺寸:65毫米长×81毫米宽×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS标准 所有ST组分是合格汽车级 的AutoDevKit部分?主动 应用:汽车双极步进电动机 在AEK-MOT-SM81M1评估板设计用于驱动在微步进模式中的双极步进电机,与COI升电压监测失速检测。...
              发表于 05-20 18:05 ? 100次 阅读
              AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根据该L99SM81V用于汽车应用的步进电机驱动器评估板

              ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

              或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节?和iOS?应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
              发表于 05-20 17:05 ? 129次 阅读
              ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

              STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

              805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...
              发表于 05-20 12:05 ? 68次 阅读
              STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

              STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

              LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非??斓腗OSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...
              发表于 05-20 12:05 ? 75次 阅读
              STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

              STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

              电压:125 - 400 VDC 额定功率:高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流:最多6 A 均方根 输入辅助电压:高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻(与感测网络) 电流检测两个选项:专用的运算放大器或通过MCU 过电流?;び布? IPM的温度监测和?;? 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM(小低损耗智能模制??椋┑诙?榈男⌒偷缍缭窗宓诙盗衝沟道超结的MDmesh?DM2快速恢复二极管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一种用于驱动高功率电机,用于宽范围的应用,如白色家电,空调机,压缩机,电动风扇,高端电动工具,并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的,易于使用的解决方案。...
              发表于 05-20 10:05 ? 82次 阅读
              STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板

              NCP81143 VR多相控制器

              43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制(PWM)与DCR电流检测相结合,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力,并且可以在轻负载条件下自动调频,同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器,带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿?;竦米ɡ亩慰甲⑷胛扌柙诒栈匪蔡煊投琕ID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿?;竦米ɡ淖艿缌髑蠛吞峁└呔鹊氖值缌骷嗫?。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
              发表于 08-09 11:36 ? 510次 阅读
              NCP81143 VR多相控制器

              NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

              031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 ?;すδ馨诓可柚萌砥舳?,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制?;? 防止过电流情况 打嗝模式短路?;ぃ⊿CP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热?;C 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
              发表于 07-29 19:02 ? 355次 阅读
              NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

              NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

              1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非??焖俚乃蔡煊脱细竦鹘?。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流?;ず腿裙囟?。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
              发表于 07-29 19:02 ? 450次 阅读
              NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

              LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

              JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围:4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲?;さ缏?,通过外部MOSFET的导通电阻检测,以及HICCUP方法的过流?;? 烧伤?;? 热关闭 热?;? 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图...
              发表于 07-29 19:02 ? 266次 阅读
              LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道

              FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

              代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT?可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压?; V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温?;? 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...
              发表于 07-29 19:02 ? 224次 阅读
              FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM

              FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

              度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT?技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压?;ぃù远仄簦? V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温?;ぃ∣TP) 采用SOIC-7封装 应用 ...
              发表于 07-29 19:02 ? 411次 阅读
              FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器

              NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

              31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流?;? 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 ??空?车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...
              发表于 07-29 19:02 ? 397次 阅读
              NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用

              NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

              39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用??于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流?;? 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...
              发表于 07-29 19:02 ? 577次 阅读
              NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用

              ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

              1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路?;?。 改进?;?。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...
              发表于 07-29 19:02 ? 381次 阅读
              ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相

              NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

              49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热?;? 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
              发表于 07-29 19:02 ? 191次 阅读
              NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

              NCP81141 Vr12.6单相控制器

              41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿?;竦米ɡ亩慰甲⑷胛扌柙诒栈匪蔡煊投琕ID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿?;竦米ɡ淖艿缌髑蠛吞峁└呔鹊氖值缌骷嗫?。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...
              发表于 07-29 18:02 ? 618次 阅读
              NCP81141 Vr12.6单相控制器

              NCP81147 低压同步降压控制器

              47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流?;?,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机?;? 确保稳健的设计 过压和过流?;? 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...
              发表于 07-29 18:02 ? 492次 阅读
              NCP81147 低压同步降压控制器

              NCP5230 低压同步降压控制器

              0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流?;?,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压?;ぃ∣VP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n?;ぜ蒑OSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...
              发表于 07-29 17:02 ? 360次 阅读
              NCP5230 低压同步降压控制器

              NCP3030 同步PWM控制器

              0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。?;すδ馨ㄎ匏鸷牡缌飨拗坪投搪繁;?,输出过压?;?,输出欠压?;ず褪淙肭费顾?。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路?;? 高级?;すδ? 输出过压和欠压检测 高级?;すδ? 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
              发表于 07-29 17:02 ? 237次 阅读
              NCP3030 同步PWM控制器
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